製造商產品編號:

QJD1210010

Product Overview

製造商:

Powerex Inc.

零件編號:

QJD1210010-DG

描述:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

详细描述:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

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QJD1210010 技術規格

類別

場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列

製造商

Powerex

包裝

-

系列

-

產品狀態

Discontinued at Digi-Key

科技

Silicon Carbide (SiC)

配置

2 N-Channel (Dual)

FET 特性

-

漏源電壓（Vdss）

1200V (1.2kV)

電流 - 連續漏極（Id） @ 25°C

100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 100A, 20V

Vgs（th）（最大值） @ Id

5V @ 10mA

柵極電荷（Qg）（Max） @ Vgs

500nC @ 20V

輸入電容（Ciss）（Max） @ Vds

10200pF @ 800V

功率 - 最大值

1080W

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝 / 外殼

Module

供應商設備包

Module

基本產品編號

QJD1210

資料表及文件

HTML 資料表

資料表

數據表

QJD1210010 Preliminary Datasheet Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief

額外資訊

標準套餐

1

環境及出口分類

RoHS 狀態

ROHS3 Compliant

濕氣敏感度等級（MSL）

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI 認證

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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