QJD1210010
製造商產品編號:

QJD1210010

Product Overview

製造商:

Powerex Inc.

零件編號:

QJD1210010-DG

描述:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
详细描述:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

庫存:

12842237
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QJD1210010 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Powerex
包裝
-
系列
-
產品狀態
Discontinued at Digi-Key
科技
Silicon Carbide (SiC)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源電壓 (Vdss)
1200V (1.2kV)
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 10mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 800V
功率 - 最大值
1080W
工作溫度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Chassis Mount
包裝 / 外殼
Module
供應商設備包
Module
基本產品編號
QJD1210

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
1

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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