製造商產品編號:
NTGD3133PT1G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NTGD3133PT1G-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP
详细描述:
Mosfet Array 20V 1.6A 560mW Surface Mount 6-TSOP
庫存:
12842350
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NTGD3133PT1G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
5.5nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
400pF @ 10V
功率 - 最大值
560mW
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包
6-TSOP
基本產品編號
NTGD31
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
2156-NTGD3133PT1G-ONTR
ONSONSNTGD3133PT1G
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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