製造商產品編號:
NVMD6P02R2G
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
NVMD6P02R2G-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
详细描述:
Mosfet Array 20V 4.8A 750mW Surface Mount 8-SOIC
庫存:
12842275
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NVMD6P02R2G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
onsemi
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
35nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1700pF @ 16V
功率 - 最大值
750mW
工作溫度
-
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包
8-SOIC
基本產品編號
NVMD6
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
2156-NVMD6P02R2G-OS
ONSONSNVMD6P02R2G
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI 認證
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