製造商產品編號:
FCD600N65S3R0
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCD600N65S3R0-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
详细描述:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
庫存:
2470 全新原裝現貨
12921826
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FCD600N65S3R0 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 600µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
465 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
54W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252 (DPAK)
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FCD600
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
488-FCD600N65S3R0CT
488-FCD600N65S3R0DKR
488-FCD600N65S3R0TR
FCD600N65S3R0-DG
2156-FCD600N65S3R0TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK7P60W,RVQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
1994
部件號碼
TK7P60W,RVQ-DG
單位價格
0.79
替代類型
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