製造商產品編號:
FCD7N60TM
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCD7N60TM-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252AA
庫存:
5978 全新原裝現貨
12846817
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
FCD7N60TM 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
7A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
920 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
83W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
FCD7N60
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
其他名稱
FAIFSCFCD7N60TM
FCD7N60TMCT
FCD7N60TMDKR
FCD7N60TMTR
FCD7N60TM-DG
2156-FCD7N60TM-OS
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPD60R600P7SAUMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
9704
部件號碼
IPD60R600P7SAUMA1-DG
單位價格
0.25
替代類型
Similar
部件編號
TK8P60W,RVQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
0
部件號碼
TK8P60W,RVQ-DG
單位價格
0.97
替代類型
Similar
部件編號
CDM7-600LR TR13 PBFREE
製造商
Central Semiconductor Corp
可用數量
2239
部件號碼
CDM7-600LR TR13 PBFREE-DG
單位價格
0.57
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
FQA33N10L
MOSFET N-CH 100V 36A TO3P
FDN372S
MOSFET N-CH 30V 2.6A SUPERSOT3
NTD4959NHT4G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK
