製造商產品編號:
SISH129DN-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SISH129DN-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET P-CH 30V 14.4A/35A PPAK
详细描述:
P-Channel 30 V 14.4A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
庫存:
90 全新原裝現貨
13061230
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SISH129DN-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
14.4A (Ta), 35A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.8V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3345 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
工作溫度
-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8SH
包裝 / 外殼
PowerPAK® 1212-8SH
基本產品編號
SISH129
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SISH129DN-T1-GE3CT
SISH129DN-T1-GE3DKR
SISH129DN-T1-GE3TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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