製造商產品編號:
SIRA66DP-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIRA66DP-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
详细描述:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
庫存:
13061260
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SIRA66DP-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
50A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.2V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
+20V, -16V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
62.5W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® SO-8
基本產品編號
SIRA66
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SIRA66DP-T1-GE3DKR
SIRA66DP-T1-GE3CT
SIRA66DP-T1-GE3-ND
SIRA66DP-T1-GE3TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
RS1E321GNTB1
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
4800
部件號碼
RS1E321GNTB1-DG
單位價格
0.91
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RS3E095BNGZETB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2500
部件號碼
RS3E095BNGZETB-DG
單位價格
0.29
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RXH070N03TB1
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2498
部件號碼
RXH070N03TB1-DG
單位價格
0.32
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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