製造商產品編號:
SI1480DH-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI1480DH-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6
详细描述:
N-Channel 100 V 2.6A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
庫存:
2990 全新原裝現貨
13061548
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SI1480DH-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
100 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.6A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
130 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SC-70-6
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
基本產品編號
SI1480
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SI1480DHT1GE3
SI1480DH-T1-GE3DKR
SI1480DH-T1-GE3CT
SI1480DH-T1-GE3TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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