製造商產品編號:
SIHG73N60AE-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIHG73N60AE-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
详细描述:
N-Channel 600 V 60A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247AC
庫存:
13007874
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SIHG73N60AE-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
E
包裝
Tube
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
60A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
394 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
5500 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
417W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247AC
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
SIHG73
資料表及文件
HTML 資料表
資料表
替代模型
部件編號
IPW60R045CPAFKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
83
部件號碼
IPW60R045CPAFKSA1-DG
單位價格
12.42
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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