SIR640DP-T1-GE3
製造商產品編號:

SIR640DP-T1-GE3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SIR640DP-T1-GE3-DG

描述:

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

庫存:

13007916
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

SIR640DP-T1-GE3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
40 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
60A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
113 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
4930 pF @ 20 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® SO-8
基本產品編號
SIR640

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SIR640DPT1GE3
SIR640DP-T1-GE3TR
SIR640DP-T1-GE3CT
SIR640DP-T1-GE3DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SIR640ADP-T1-GE3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
0
部件號碼
SIR640ADP-T1-GE3-DG
單位價格
0.73
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
vishay

SUP90N15-18P-E3

MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB

vishay

SUD06N10-225L-E3

MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252

vishay

SQ4483EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC

vishay

SQ4483BEEY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 22A 8SOIC