製造商產品編號:
SIHB30N60AEL-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIHB30N60AEL-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
详细描述:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
8 全新原裝現貨
13063090
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SIHB30N60AEL-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
EL
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
28A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2565 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
250W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
SIHB30
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
SIHB30N60AEL-GE3CT
SIHB30N60AEL-GE3TR
SIHB30N60AEL-GE3DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
DIGI 認證
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