SIHP20N50E-GE3
製造商產品編號:

SIHP20N50E-GE3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SIHP20N50E-GE3-DG

描述:

MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
详细描述:
N-Channel 500 V 19A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-220AB

庫存:

861 全新原裝現貨
13063201
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SIHP20N50E-GE3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
-
包裝
Tube
零件狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
500 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
19A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
179W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
SIHP20

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
1,000

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SPP21N50C3XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
2469
部件號碼
SPP21N50C3XKSA1-DG
單位價格
1.91
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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