SI2314EDS-T1-E3
製造商產品編號:

SI2314EDS-T1-E3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI2314EDS-T1-E3-DG

描述:

MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
详细描述:
N-Channel 20 V 3.77A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

庫存:

93683 全新原裝現貨
13056367
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SI2314EDS-T1-E3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Last Time Buy
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
3.77A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
950mV @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±12V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
750mW (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
SOT-23-3 (TO-236)
包裝 / 外殼
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本產品編號
SI2314

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SI2314EDS-T1-E3CT
SI2314EDST1E3
SI2314EDS-T1-E3TR
SI2314EDS-T1-E3DKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
NTR3C21NZT3G
製造商
onsemi
可用數量
9499
部件號碼
NTR3C21NZT3G-DG
單位價格
0.10
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RUR020N02TL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
9907
部件號碼
RUR020N02TL-DG
單位價格
0.14
替代類型
MFR Recommended
部件編號
DMN2075U-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
60933
部件號碼
DMN2075U-7-DG
單位價格
0.04
替代類型
MFR Recommended
部件編號
DMG3414UQ-7
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
3023
部件號碼
DMG3414UQ-7-DG
單位價格
0.08
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RUE003N02TL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
82653
部件號碼
RUE003N02TL-DG
單位價格
0.06
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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