製造商產品編號:
SI4196DY-T1-E3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI4196DY-T1-E3-DG
描述:
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
详细描述:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
庫存:
13056591
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SI4196DY-T1-E3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
TrenchFET®
包裝
Tape & Reel (TR)
零件狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
8A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22 nC @ 8 V
Vgs （最大值）
±8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
830 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta), 4.6W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOIC
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
SI4196
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
2,500
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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