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製造商產品編號:
SQM100N10-10_GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SQM100N10-10_GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263
详细描述:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
庫存:
217 全新原裝現貨
12787524
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SQM100N10-10_GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
100 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
100A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
2.5V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
8050 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
375W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
SQM100
資料表及文件
HTML 資料表
SQM100N10-10_GE3-DG
資料表
SQM100N10-10_GE3
數據表
SQM100N10-10
額外資訊
標準套餐
800
其他名稱
SQM100N10-10_GE3-DG
SQM100N10-10_GE3CT
SQM100N10-10-GE3
SQM100N10-10-GE3-DG
SQM100N10-10_GE3TR
SQM100N10-10_GE3DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IXFA130N10T2
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXFA130N10T2-DG
單位價格
2.41
替代類型
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DIGI 認證
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