製造商產品編號:
SIR112DP-T1-RE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIR112DP-T1-RE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
详细描述:
N-Channel 40 V 37.6A (Ta), 133A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
庫存:
12787538
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SIR112DP-T1-RE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET® Gen IV
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
40 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
37.6A (Ta), 133A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.96mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
+20V, -16V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4270 pF @ 20 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
5W (Ta), 62.5W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® SO-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® SO-8
基本產品編號
SIR112
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SIR112DP-T1-RE3TR
SIR112DP-T1-RE3CT
SIR112DP-T1-RE3DKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
RS3L045GNGZETB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
1173
部件號碼
RS3L045GNGZETB-DG
單位價格
0.25
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RS6G120BGTB1
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2094
部件號碼
RS6G120BGTB1-DG
單位價格
1.48
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ3G100GNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
112698
部件號碼
RQ3G100GNTB-DG
單位價格
0.14
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ3E180GNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
4770
部件號碼
RQ3E180GNTB-DG
單位價格
0.21
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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