製造商產品編號:
SQJ202EP-T1_GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SQJ202EP-T1_GE3-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
详细描述:
Mosfet Array 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
庫存:
2805 全新原裝現貨
12915807
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SQJ202EP-T1_GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
-
漏源電壓 （Vdss）
12V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
975pF @ 6V
功率 - 最大值
27W, 48W
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
年級
Automotive
資格
AEC-Q101
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
PowerPAK® SO-8 Dual
供應商設備包
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
基本產品編號
SQJ202
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
742-SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3DKR
SQJ202EP-T1_GE3CT-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR-DG
SQJ202EP-T1_GE3TR
742-SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3CT
SQJ202EP-T1_GE3DKR-DG
742-SQJ202EP-T1_GE3TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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