製造商產品編號:
SI5903DC-T1-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SI5903DC-T1-GE3-DG
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
详细描述:
Mosfet Array 20V 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
庫存:
12915818
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SI5903DC-T1-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Obsolete
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 P-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
20V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
600mV @ 250µA (Min)
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
-
功率 - 最大值
1.1W
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
8-SMD, Flat Lead
供應商設備包
1206-8 ChipFET™
基本產品編號
SI5903
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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