製造商產品編號:
SIHG64N65E-GE3
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
SIHG64N65E-GE3-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
详细描述:
N-Channel 650 V 64A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-247AC
庫存:
12917532
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SIHG64N65E-GE3 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
64A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
47mOhm @ 32A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
369 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
7497 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
520W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247AC
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
SIHG64
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
500
其他名稱
SIHG64N65E-GE3-DG
742-SIHG64N65E-GE3
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
APT60N60BCSG
製造商
Microchip Technology
可用數量
137
部件號碼
APT60N60BCSG-DG
單位價格
15.64
替代類型
MFR Recommended
部件編號
IPW65R045C7FKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1670
部件號碼
IPW65R045C7FKSA1-DG
單位價格
6.73
替代類型
MFR Recommended
部件編號
TK62N60X,S1F
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
102
部件號碼
TK62N60X,S1F-DG
單位價格
5.71
替代類型
MFR Recommended
部件編號
TSM60NB041PW C1G
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
2485
部件號碼
TSM60NB041PW C1G-DG
單位價格
8.76
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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