製造商產品編號:
FCH040N65S3-F155
Product Overview
製造商:
onsemi
零件編號:
FCH040N65S3-F155-DG
描述:
MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
详细描述:
N-Channel 650 V 65A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247-3
庫存:
1185 全新原裝現貨
12922369
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FCH040N65S3-F155 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tube
系列
SuperFET® III
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
65A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 6.5mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
136 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
4740 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
417W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247-3
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
FCH040
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
2156-FCH040N65S3-F155-OS
FCH040N65S3_F155
ONSONSFCH040N65S3-F155
FCH040N65S3_F155-DG
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM60NB041PW C1G
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
2485
部件號碼
TSM60NB041PW C1G-DG
單位價格
8.76
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