SI7230DN-T1-E3
製造商產品編號:

SI7230DN-T1-E3

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

SI7230DN-T1-E3-DG

描述:

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
详细描述:
N-Channel 30 V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

庫存:

12911763
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

SI7230DN-T1-E3 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
30 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
3V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (最大值)
±20V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1.5W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
PowerPAK® 1212-8
包裝 / 外殼
PowerPAK® 1212-8
基本產品編號
SI7230

資料表及文件

HTML 資料表
資料表
數據表

額外資訊

標準套餐
3,000
其他名稱
SI7230DN-T1-E3DKR
SI7230DN-T1-E3TR
SI7230DN-T1-E3-DG
SI7230DN-T1-E3CT

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
RQ3E120ATTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
21620
部件號碼
RQ3E120ATTB-DG
單位價格
0.23
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ3E100MNTB1
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
5261
部件號碼
RQ3E100MNTB1-DG
單位價格
0.40
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ1E070RPTR
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
7064
部件號碼
RQ1E070RPTR-DG
單位價格
0.41
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ3E120BNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2880
部件號碼
RQ3E120BNTB-DG
單位價格
0.16
替代類型
MFR Recommended
部件編號
RQ3E080BNTB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
40431
部件號碼
RQ3E080BNTB-DG
單位價格
0.10
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
vishay-siliconix

IRFB9N60APBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFI9640GPBF

MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3

vishay-siliconix

SI2333DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

vishay-siliconix

IRFI830G

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3