製造商產品編號:
IRFB9N60APBF
Product Overview
製造商:
Vishay Siliconix
零件編號:
IRFB9N60APBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220AB
详细描述:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
庫存:
2220 全新原裝現貨
12911765
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IRFB9N60APBF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Vishay
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
9.2A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
170W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IRFB9N60
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
*IRFB9N60APBF
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
IRFI9640GPBF
MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
SI2333DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
IRFI830G
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3
