IRFD010PBF
製造商產品編號:

IRFD010PBF

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

IRFD010PBF-DG

描述:

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4DIP
详细描述:
N-Channel 50 V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-HVMDIP

庫存:

12905516
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

IRFD010PBF 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
50 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 860mA, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±20V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
250 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
1W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
4-HVMDIP
包裝 / 外殼
4-DIP (0.300", 7.62mm)
基本產品編號
IRFD010

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
*IRFD010PBF

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
vishay-siliconix

IRF740APBF

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

vishay-siliconix

IRFB9N30APBF

MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB

diodes

ZXMN6A07FTC

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

diodes

ZXMN3F30FHTA

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3