IRFB9N30APBF
製造商產品編號:

IRFB9N30APBF

Product Overview

製造商:

Vishay Siliconix

零件編號:

IRFB9N30APBF-DG

描述:

MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
详细描述:
N-Channel 300 V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB

庫存:

12905553
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IRFB9N30APBF 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Vishay
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
300 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
96W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220AB
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
IRFB9

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
50
其他名稱
*IRFB9N30APBF

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
STP12NK30Z
製造商
STMicroelectronics
可用數量
508
部件號碼
STP12NK30Z-DG
單位價格
0.99
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
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