製造商產品編號:
TK60S06K3L(T6L1,NQ
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK60S06K3L(T6L1,NQ-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 60A (Ta) 88W (Tc) Surface Mount DPAK+
庫存:
1975 全新原裝現貨
12889946
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TK60S06K3L(T6L1,NQ 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSIV
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
60A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2900 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
88W (Tc)
工作溫度
175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
DPAK+
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
TK60S06
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
2,000
其他名稱
TK60S06K3L(T6L1NQ-DG
264-TK60S06K3L(T6L1,NQCT
264-TK60S06K3L(T6L1,NQTR
TK60S06K3LT6L1NQ
264-TK60S06K3L(T6L1,NQDKR
TK60S06K3L(T6L1NQ
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRLR3636TRLPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1281
部件號碼
IRLR3636TRLPBF-DG
單位價格
0.75
替代類型
Similar
部件編號
IRFR1018ETRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
25604
部件號碼
IRFR1018ETRPBF-DG
單位價格
0.55
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