製造商產品編號:
IRLR3636TRLPBF
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IRLR3636TRLPBF-DG
描述:
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
详细描述:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 143W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
庫存:
1281 全新原裝現貨
12814887
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IRLR3636TRLPBF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
60 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
50A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 100µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
49 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±16V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
3779 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
143W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-252AA (DPAK)
包裝 / 外殼
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本產品編號
IRLR3636
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SP001569134
448-IRLR3636TRLPBFTR
448-IRLR3636TRLPBFDKR
IRLR3636TRLPBF-DG
INFIRFIRLR3636TRLPBF
448-IRLR3636TRLPBFCT
2156-IRLR3636TRLPBF
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRLR3636TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
30775
部件號碼
IRLR3636TRPBF-DG
單位價格
0.73
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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