製造商產品編號:
TK4A60D(STA4,Q,M)
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK4A60D(STA4,Q,M)-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
详细描述:
N-Channel 600 V 4A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
庫存:
12891070
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TK4A60D(STA4,Q,M) 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
π-MOSVII
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.4V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
35W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220SIS
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
TK4A60
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
TK4A60D(Q)-DG
TK4A60D(Q)
TK4A60D(STA4QM)
環境及出口分類
RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IPA80R1K4P7XKSA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
112
部件號碼
IPA80R1K4P7XKSA1-DG
單位價格
0.47
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