製造商產品編號:
IPA80R1K4P7XKSA1
Product Overview
製造商:
Infineon Technologies
零件編號:
IPA80R1K4P7XKSA1-DG
描述:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3F
详细描述:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
庫存:
112 全新原裝現貨
12804051
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
IPA80R1K4P7XKSA1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Infineon Technologies
包裝
Tube
系列
CoolMOS™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
800 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
4A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 700µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
250 pF @ 500 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
24W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
PG-TO220-3-31
包裝 / 外殼
TO-220-3 Full Pack
基本產品編號
IPA80R1
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
2156-IPA80R1K4P7XKSA1
SP001422546
ROCINFIPA80R1K4P7XKSA1
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
Not Applicable
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
IRFR3710ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IRF9310PBF
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
