製造商產品編號:
SSM6L09FUTE85LF
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
SSM6L09FUTE85LF-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
详细描述:
Mosfet Array 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
庫存:
38045 全新原裝現貨
12889231
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SSM6L09FUTE85LF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Not For New Designs
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate
漏源電壓 （Vdss）
30V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 200MA, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.8V @ 100µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
-
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
20pF @ 5V
功率 - 最大值
300mW
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包
US6
基本產品編號
SSM6L09
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SSM6J50TULF
SSM6L09FUTE85LFTR
SSM6J50TULF(B
SSM6L09FUTE85LFDKR
SSM6L09FUTE85LFCT
SSM6L09FU(TE85L,F)
SSM6L09FU (TE85L,F)
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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