製造商產品編號:
SSM6N815R,LF
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
SSM6N815R,LF-DG
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
详细描述:
Mosfet Array 100V 2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-TSOP-F
庫存:
1051 全新原裝現貨
12889329
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SSM6N815R,LF 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管陣列
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVIII-H
產品狀態
Active
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N-Channel (Dual)
FET 特性
Logic Level Gate, 4V Drive
漏源電壓 （Vdss）
100V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
103mOhm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 100µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
3.1nC @ 4.5V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
290pF @ 15V
功率 - 最大值
1.8W (Ta)
工作溫度
150°C
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
6-SMD, Flat Leads
供應商設備包
6-TSOP-F
基本產品編號
SSM6N815
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
SSM6N815RLFTR
SSM6N815RLFCT
SSM6N815R,LF(B
SSM6N815R,LF(T
SSM6N815RLF
SSM6N815RLF(B
SSM6N815RLFDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
DMN2300UFL4-7
MOSFET 2N-CH 20V 2.11A 6DFN
SSM6N357R,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.65A 6TSOPF
SSM6N35AFE,LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6