製造商產品編號:
SSM3J66MFV,L3F
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
SSM3J66MFV,L3F-DG
描述:
MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
详细描述:
P-Channel 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
庫存:
6318 全新原裝現貨
12889181
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SSM3J66MFV,L3F 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVI
產品狀態
Active
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
20 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
800mA (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
+6V, -8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
100 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
150mW (Ta)
工作溫度
150°C
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
VESM
包裝 / 外殼
SOT-723
基本產品編號
SSM3J66
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
8,000
其他名稱
264-SSM3J66MFV,L3FCT
SSM3J66MFVL3FDKR-DG
SSM3J66MFVL3FTR-DG
SSM3J66MFVL3FDKR
SSM3J66MFVL3FCT-DG
264-SSM3J66MFV,L3FDKR
SSM3J66MFV,L3F(B
SSM3J66MFVL3FTR
264-SSM3J66MFV,L3FTR
SSM3J66MFVL3FCT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
部件編號
SSM3J66MFV,L3XHF
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
14411
部件號碼
SSM3J66MFV,L3XHF-DG
單位價格
0.04
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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