製造商產品編號:
TK32E12N1,S1X
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
TK32E12N1,S1X-DG
描述:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
详细描述:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
庫存:
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TK32E12N1,S1X 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Tube
系列
U-MOSVIII-H
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
120 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
60A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 500µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2000 pF @ 60 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
98W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-220
包裝 / 外殼
TO-220-3
基本產品編號
TK32E12
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
50
其他名稱
TK32E12N1S1X
TK32E12N1,S1X(S
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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