RN1131MFV(TL3,T)
製造商產品編號:

RN1131MFV(TL3,T)

Product Overview

製造商:

Toshiba Semiconductor and Storage

零件編號:

RN1131MFV(TL3,T)-DG

描述:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

庫存:

3000 全新原裝現貨
12889320
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RN1131MFV(TL3,T) 技術規格

類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
Cut Tape (CT)
系列
-
產品狀態
Active
晶體管類型
NPN - Pre-Biased
電流 - 集電極 (Ic) (Max)
100 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大值)
50 V
電阻器 - 基座 (R1)
100 kOhms
直流電流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度(最大值) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
電流 - 集電極截止(最大值)
100nA (ICBO)
功率 - 最大值
150 mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SOT-723
供應商設備包
VESM
基本產品編號
RN1131

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
8,000
其他名稱
RN1131MFVTL3T
RN1131MFV(TL3T)DKR
RN1131MFV(TL3T)CT
RN1131MFV(TL3T)TR

環境及出口分類

RoHS 狀態
RoHS Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
DTC115TM3T5G
製造商
onsemi
可用數量
0
部件號碼
DTC115TM3T5G-DG
單位價格
0.03
替代類型
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