製造商產品編號:
RN1110(T5L,F,T)
Product Overview
製造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
零件編號:
RN1110(T5L,F,T)-DG
描述:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
庫存:
12889327
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RN1110(T5L,F,T) 技術規格
類別
雙極性晶體管 (BJT), 單一預偏壓雙極晶體管
製造商
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
晶體管類型
NPN - Pre-Biased
電流 - 集電極 （Ic） （Max）
100 mA
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大值）
50 V
電阻器 - 基座 （R1）
4.7 kOhms
直流電流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce 飽和度（最大值） @ Ib， Ic
300mV @ 250µA, 5mA
電流 - 集電極截止（最大值）
100nA (ICBO)
頻率 - 過渡
250 MHz
功率 - 最大值
100 mW
安裝類型
Surface Mount
包裝 / 外殼
SC-75, SOT-416
供應商設備包
SSM
基本產品編號
RN1110
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
RN1110(T5LFT)TR
RN1110(T5LFT)DKR
RN1110(T5LFT)CT
環境及出口分類
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
替代模型
DIGI 認證
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