製造商產品編號:
CSD16323Q3T
Product Overview
製造商:
Texas Instruments
零件編號:
CSD16323Q3T-DG
描述:
PROTOTYPE
详细描述:
N-Channel 25 V 20A (Ta), 105A (Tc) 2.8W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
庫存:
12996156
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CSD16323Q3T 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Texas Instruments
包裝
-
系列
NexFET™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
25 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
20A (Ta), 105A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 24A, 8V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
+10V, -8V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1300 pF @ 12.5 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2.8W (Ta), 74W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
包裝 / 外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
CSD16323
資料表及文件
額外資訊
標準套餐
1
其他名稱
296-CSD16323Q3T
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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