製造商產品編號:
R6535ENZ4C13
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
R6535ENZ4C13-DG
描述:
650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER
详细描述:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247G
庫存:
571 全新原裝現貨
12996280
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R6535ENZ4C13 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
650 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
35A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 1.21mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2600 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
379W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247G
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
R6535
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
30
其他名稱
846-R6535ENZ4C13
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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