製造商產品編號:
CSD13302W
Product Overview
製造商:
Texas Instruments
零件編號:
CSD13302W-DG
描述:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
详细描述:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
庫存:
12788616
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CSD13302W 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Texas Instruments
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
12 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.6A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
862 pF @ 6 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
4-DSBGA (1x1)
包裝 / 外殼
4-UFBGA, DSBGA
基本產品編號
CSD13302
資料表及文件
製造商產品頁面
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
CSD13302W-DG
2156-CSD13302W
TEXTISCSD13302W
296-48118-6
296-48118-1
296-48118-2
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
CSD13302WT
製造商
Texas Instruments
可用數量
337
部件號碼
CSD13302WT-DG
單位價格
0.33
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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