CSD13302WT
製造商產品編號:

CSD13302WT

Product Overview

製造商:

Texas Instruments

零件編號:

CSD13302WT-DG

描述:

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
详细描述:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)

庫存:

337 全新原裝現貨
12788598
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CSD13302WT 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Texas Instruments
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
NexFET™
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
12 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.6A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1.3V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
862 pF @ 6 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
4-DSBGA (1x1)
包裝 / 外殼
4-UFBGA, DSBGA
基本產品編號
CSD13302

資料表及文件

製造商產品頁面
CSD13302WT Specifications
數據表
CSD13302W(T) Datasheet

額外資訊

標準套餐
250
其他名稱
TEXTISCSD13302WT
2156-CSD13302WT
296-CSD13302WTCT
CSD13302WT-DG
296-CSD13302WTTR
296-CSD13302WTDKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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