STB12NM60N
製造商產品編號:

STB12NM60N

Product Overview

製造商:

STMicroelectronics

零件編號:

STB12NM60N-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount D2PAK

庫存:

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STB12NM60N 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
-
系列
MDmesh™ II
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
10A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
410mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
960 pF @ 50 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
90W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
D2PAK
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
STB12N

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
STB12NM60N-DG
1805-STB12NM60NCT
497-7931-6
-497-7931-2
-497-7931-1
497-7931-2
1805-STB12NM60NTR
-497-7931-6
497-7931-1
1805-STB12NM60NDKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
R6011ENJTL
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
0
部件號碼
R6011ENJTL-DG
單位價格
1.56
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