FCB11N60TM
製造商產品編號:

FCB11N60TM

Product Overview

製造商:

onsemi

零件編號:

FCB11N60TM-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
详细描述:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

庫存:

135 全新原裝現貨
12835961
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FCB11N60TM 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
onsemi
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET™
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
11A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1490 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
TO-263 (D2PAK)
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
FCB11N60

資料表及文件

HTML 資料表
FCB11N60TM-DG
資料表
FCB11N60TM
數據表
FCB11N60

額外資訊

標準套餐
800
其他名稱
2156-FCB11N60TM
FCB11N60TM_NLCT
FCB11N60TM_NLTR-DG
FCB11N60TMDKR
FCB11N60TM_NLCT-DG
FCB11N60TM_NL
FCB11N60TMCT
FCB11N60TMCT-NDR
FCB11N60TMTR
FCB11N60TM_NLTR
FCB11N60TMTR-NDR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
IXTA12N65X2
製造商
IXYS
可用數量
0
部件號碼
IXTA12N65X2-DG
單位價格
2.28
替代類型
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cr
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