製造商產品編號:
SCTH50N120-7
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
SCTH50N120-7-DG
描述:
SICFET N-CH 1200V 65A H2PAK-7
详细描述:
N-Channel 1200 V 65A 270W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
庫存:
12877144
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SCTH50N120-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
65A
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 40A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5.1V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
122 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+22V, -10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
270W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
H2PAK-7
包裝 / 外殼
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
基本產品編號
SCTH50
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
SCTH50N120-7-DG
497-SCTH50N120-7DKR
497-SCTH50N120-7CT
497-SCTH50N120-7TR
環境及出口分類
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
SCTH60N120G2-7
製造商
STMicroelectronics
可用數量
0
部件號碼
SCTH60N120G2-7-DG
單位價格
18.07
替代類型
MFR Recommended
DIGI 認證
相關產品
STF5N65M6
MOSFET N-CH 650V 4A TO-220FP
STD5N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STI360N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
