製造商產品編號:
SCTH60N120G2-7
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
SCTH60N120G2-7-DG
描述:
SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7
详细描述:
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
庫存:
12985466
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SCTH60N120G2-7 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
60A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs （最大值）
+22V, -10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1969 pF @ 800 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
390W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
H2PAK-7
包裝 / 外殼
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
其他名稱
497-SCTH60N120G2-7TR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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