製造商產品編號:
SCT30N120D2
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
SCT30N120D2-DG
描述:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
详细描述:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
庫存:
12875915
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
SCT30N120D2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源電壓 （Vdss）
1200 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
40A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs（th） （最大值） @ Id
3.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs （最大值）
+25V, -10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
1700 pF @ 400 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
270W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
HiP247™
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
SCT30
額外資訊
標準套餐
490
環境及出口分類
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
相關產品
STP18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2