製造商產品編號:
STU6N60DM2
Product Overview
製造商:
STMicroelectronics
零件編號:
STU6N60DM2-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
详细描述:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
庫存:
12875925
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STU6N60DM2 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
STMicroelectronics
包裝
Tube
系列
MDmesh™ DM2
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
5A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.75V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±25V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
274 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
60W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
I-PAK
包裝 / 外殼
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本產品編號
STU6N60
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
3,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI 認證
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