製造商產品編號:
RW1A013ZPT2R
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RW1A013ZPT2R-DG
描述:
MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
详细描述:
P-Channel 12 V 1.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
庫存:
13526119
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RW1A013ZPT2R 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
12 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
1.5A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±10V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
290 pF @ 6 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
400mW (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
6-WEMT
包裝 / 外殼
6-SMD, Flat Leads
基本產品編號
RW1A013
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
8,000
其他名稱
RW1A013ZPT2R-ND
RW1A013ZPT2RTR
RW1A013ZPT2RCT
RW1A013ZPT2RDKR
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
DIGI 認證
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