製造商產品編號:
R6018ANJTL
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
R6018ANJTL-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
详细描述:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount LPTS
庫存:
13526151
請求報價
數量
最低限1
最低限1
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
我們會在24小時內回覆您
提交
R6018ANJTL 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
18A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2050 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
100W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
LPTS
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
R6018
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
1,000
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TK14G65W,RQ
製造商
Toshiba Semiconductor and Storage
可用數量
3525
部件號碼
TK14G65W,RQ-DG
單位價格
0.93
替代類型
Similar
部件編號
AOB20S60L
製造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用數量
788
部件號碼
AOB20S60L-DG
單位價格
1.37
替代類型
Similar
部件編號
IPB60R190C6ATMA1
製造商
Infineon Technologies
可用數量
1265
部件號碼
IPB60R190C6ATMA1-DG
單位價格
1.41
替代類型
Similar
DIGI 認證
相關產品
RAL025P01TCR
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
RCX450N20
MOSFET N-CH 200V 45A TO220FM
RD3S075CNTL1
MOSFET N-CH 190V 7.5A TO252
