RUS100N02TB
製造商產品編號:

RUS100N02TB

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

RUS100N02TB-DG

描述:

MOSFET N-CH 20V 10A 8SOP
详细描述:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP

庫存:

138 全新原裝現貨
13527495
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RUS100N02TB 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
10A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±10V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2250 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SOP
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
RUS100

資料表及文件

數據表

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
RUS100N02TBDKR
RUS100N02TBCT
RUS100N02TBTR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
DMN2009LSS-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
1816
部件號碼
DMN2009LSS-13-DG
單位價格
0.22
替代類型
Similar
部件編號
RS3E135BNGZETB
製造商
Rohm Semiconductor
可用數量
2565
部件號碼
RS3E135BNGZETB-DG
單位價格
0.36
替代類型
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