DMN2009LSS-13
製造商產品編號:

DMN2009LSS-13

Product Overview

製造商:

Diodes Incorporated

零件編號:

DMN2009LSS-13-DG

描述:

MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
详细描述:
N-Channel 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO

庫存:

1816 全新原裝現貨
12888582
請求報價
數量
最低限1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 是必填的
我們會在24小時內回覆您
提交

DMN2009LSS-13 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
Diodes Incorporated
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
20 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
12A (Ta)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1.2V @ 250µA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
58.3 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±12V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
2555 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
2W (Ta)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-SO
包裝 / 外殼
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
基本產品編號
DMN2009

額外資訊

標準套餐
2,500
其他名稱
31-DMN2009LSS-13DKR
31-DMN2009LSS-13TR
31-DMN2009LSS-13CT
DMN2009LSS-13-DG

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

部件編號
SI4408DY-T1-E3
製造商
Vishay Siliconix
可用數量
5837
部件號碼
SI4408DY-T1-E3-DG
單位價格
1.05
替代類型
MFR Recommended
部件編號
DMN2009USS-13
製造商
Diodes Incorporated
可用數量
1557
部件號碼
DMN2009USS-13-DG
單位價格
0.18
替代類型
Direct
DIGI 認證
相關產品
diodes

DMN2005UFGQ-13

MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333

diodes

DMN62D0UT-13

MOSFET N-CH 60V 0.32A SOT523

diodes

DMTH43M8LFGQ-7

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

diodes

DMT3003LFGQ-13

MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333