製造商產品編號:
RQ3E130MNTB1
Product Overview
製造商:
Rohm Semiconductor
零件編號:
RQ3E130MNTB1-DG
描述:
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
详细描述:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
庫存:
12818095
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RQ3E130MNTB1 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
Tape & Reel (TR)
系列
-
產品狀態
Not For New Designs
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
30 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
13A (Ta)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.5V @ 1mA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±20V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
840 pF @ 15 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
8-HSMT (3.2x3)
包裝 / 外殼
8-PowerVDFN
基本產品編號
RQ3E130
額外資訊
標準套餐
3,000
其他名稱
RQ3E130MNTB1DKR
RQ3E130MNTB1TR
846-RQ3E130MNTB1TR
RQ3E130MNTB1CT
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
IRFH3702TRPBF
製造商
Infineon Technologies
可用數量
18727
部件號碼
IRFH3702TRPBF-DG
單位價格
0.19
替代類型
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DIGI 認證
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