R6012FNJTL
製造商產品編號:

R6012FNJTL

Product Overview

製造商:

Rohm Semiconductor

零件編號:

R6012FNJTL-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 12A LPT
详细描述:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS

庫存:

12818098
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R6012FNJTL 技術規格

類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET,MOSFET
製造商
ROHM Semiconductor
包裝
-
系列
-
產品狀態
Active
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 (Vdss)
600 V
電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C
12A (Tc)
驅動電壓(最大 rds on,最小 rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
510mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (最大值) @ Id
5V @ 1mA
柵極電荷 (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (最大值)
±30V
輸入電容 (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
50W (Tc)
工作溫度
150°C (TJ)
安裝類型
Surface Mount
供應商設備包
LPTS
包裝 / 外殼
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本產品編號
R6012

資料表及文件

額外資訊

標準套餐
1,000
其他名稱
R6012FNJTLCT
R6012FNJTLTR
846-R6012FNJTLTR
R6012FNJTLDKR

環境及出口分類

RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

部件編號
IXFA14N60P
製造商
IXYS
可用數量
50
部件號碼
IXFA14N60P-DG
單位價格
2.25
替代類型
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